Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Sitemap

Falownik IGBT

• Inwerter ultraprzenośny IGBT półprzewodnik mocy dla dużej pojemności
• TO-247 Inwerter 600V IGBT dla systemów energii odnawialnej
• Inwerter o niskim czasie odzyskiwania IGBT 20KHz-60KHz z tolerancją cieplną 600V
• N-kanałowy tryb wzmacniania mocy IGBT 15A 650V dla inwertera ogólnego

IGBT dużej mocy

• Przetwornik mocy IGBT 650V-1200V Oszczędność energii dla przełącznika
• N kanał 15A 650V wysokiej mocy IGBT TO-220F dla urządzeń domowych
• 600V-1200V Moc IGBT Wydajność wysokiej wytrzymałości dla zastosowań PFC
• 30A 650V N Channel High Power IGBT dla elektrycznej maszyny spawalniczej

MOSFET dużej mocy

• Rozwiązanie zarządzania energią typu N wysokiej mocy MOSFET dla zastosowań przemysłowych
• 5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 Nawierzchnia zamontowana
• Rozpraszanie ciepła Transistory silnika krzemowego MOSFET o wysokiej mocy
• 7A 650V 525mΩ DO-220F MOS chłodny dla nieprzerwanego zasilania

MOSFET z superpołączeniem

• 7A 650V 520mΩ Super Junction Mosfet N-Channel To-220F Do zasilania
• Niska strata przewodzenia Szybki czas odzyskiwania Chłodzenie Mosfet 30A 650V 99mΩ
• 7A 650V 520mΩ TO-252 Super Junction Mosfet Switching Regulator
• Niska utrata przewodzenia chłodzenie Mosfet 30A 650V 120mΩ dla zasilania w trybie przełączonym

MOSFET niskiego napięcia

• N Channel Medium Low Voltage MOSFET Trwały do ochrony baterii
• Transistory Mosfet o niskiej mocy z silikiem do stacji bazowej 5G
• MOSFET z krzemu średniego i niskiego napięcia do przełącznika wysokiej częstotliwości
• Wielokulturowy mosfet średniego i niskiego napięcia dla adaptera i ładowarki

MOSFET wysokiego napięcia

• Inwerter wysokonapięciowy MOSFET
• Niskie opory, wysokie napięcie, n-kanałowy MOSFET 30V, 100% testowany w lawinie
• Ultra niskie opory wewnętrzne wysokonapięciowy MOSFET TO-220F do ładowania stertu
• Kompaktny obwód przełącznikowy HV Mosfet o niskim oporze dla adaptera i ładowarki

Diody barierowe Schottky'ego

• Niższe napięcie do przodu Diody barierowe Schottky
• Diody Schottky'ego o niskiej częstotliwości fal (Low VF Solution Schottky Diodes TO-247 For Motor Drives)
• Diody barierowe Schottky'ego o niskim napięciu VF TO-251 TO-252 Zwiększone zasilanie
• Przełącznik częstotliwości Diody Schottky TO-252 TO-220 do modemów zasilania

Diody szybkiego odzyskiwania

• Ultraprędkość 35ns Czas odzyskiwania Diody szybkiego odzyskiwania dla małych urządzeń gospodarstwa domowego
• TO-220AC Ultraszybkie diody Czas odzyskiwania 15-35ns Do zastosowań urządzeń energetycznych
• Diody szybkiego odzyskiwania prądu o wysokiej zdolności przepływowej dla przetworników i inwerterów
• Diody o niskiej częstotliwości VF do szybkiego regeneracji 15-35ns do zastosowań przełączania

Niski VF Schottky

• Element krytyczny Dioda Schottky'ego o niskiej częstotliwości fal TO-252 do łączności bezprzewodowej
• Niezawodność Niskonapięciowy Diod Schottky TO-247 dla sterownika silnika stopniowego
• Diody Schottky'ego o niskiej częstotliwości VF do przełączania obwodu
• Rozszerzony zakres temperatury Dioda Schottky Low VF dla ograniczaczacza prądu

Półprzewodnik dużej mocy

• 11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET wysokiej mocy do przełączania ładowarki
• Wysokonapięciowy półprzewodnik wysokiej mocy typu N o niskim przecieku
• TO-220F Tranzystory o działaniu pola półprzewodnikowego tlenku metalu 15A 600V 274mΩ
• Niski przełącznik półprzewodnik wysokiej mocy 15A 650V 238mΩ dla konwerterów prądu stałego

MOSFET z węglika krzemu

• MOSFET z węglem krzemowym o niskiej odporności dla inwerterów mocy
• Wysokie tolerancje temperatury Sic Power Mosfet TO-220AC dla jednostek zasilania
• MOSFET z węglem krzemowym o niskiej odporności do 247AC do telekomunikacji
• Niskie opory Sic MOS TO-220AC dla inwertera słonecznego

SBD z węglowodorów krzemowych

• Wysokiej niezawodności SBD z węglanu krzemowego dla kierowcy silnika przemysłowego
• Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego
• Elektronika węglowodorów krzemowych SBD Urządzenia dyskretne zasilania dla obwodu zasilania
• Diody barierowe SIC Schottky'ego z węglem krzemowym TO-247AC do inwertera słonecznego