Rodzaj: N
Rodzaj opakowania: TO-220F/TO-247
Napięcie bramka-źródło (Vgs): ±30 V
Rodzaj urządzenia: IGBT
Szybkość przełączania: Większa prędkość przełączania
Częstotliwość stosowania: 20KHZ-60KHZ
Opór wewnętrzny: Bardzo mały opór wewnętrzny
Pojemność: Bardzo niska pojemność złącza
Rodzaj urządzenia: Zasilanie urządzeń dyskretnych
Napięcie bramka-źródło (Vgs): ±30 V
Producent: Lingxun
Kategoria: MOSFET
Kategoria: MOSFET
Napięcie bramka-źródło (Vgs): ±30 V
Kraj pochodzenia: Chiny, Nowy, Nieużywany
Rodzaj: N
Rodzaj opakowania: TO-220F/TO-247
Napięcie bramka-źródło (Vgs): ±30 V
Kategoria: MOSFET
Kraj pochodzenia: Chiny, Nowy, Nieużywany
Napięcie bramka-źródło (Vgs): ±30 V
Zużycie energii: Niskie straty mocy
Proces struktury: Wykop/SGT
Proces wykopowy Zalety: Mniejsze RSP, zarówno konfiguracje szeregowe, jak i równoległe, można dowolnie łączyć i wykorzystywa
Zastosowanie: Sprzęt gospodarstwa domowego, napędy silnikowe, wentylatory, pompy, falownik solarny
Szybkość przełączania: Większa prędkość przełączania
Rodzaj opakowania: TO-247
Zgodne z wymogami Rohs: RoHS
Zastosowanie: Zasilacze, napędy silnikowe, wzmacniacze RF, komunikacja bezprzewodowa
Charakterystyka: Szybka prędkość przełączania, wysoka wydajność, niski czas odzyskiwania wstecznego
Opór: Niski opór
Wnioski: Falowniki, Pojazdy elektryczne, Infrastruktura sieciowa, Napędy przemysłowe, Elektronika użytkowa, S
Materiał: Węglik krzemu
Pojemność skrzyżowania: Niska pojemność połączenia
napięcie: Wysokie napięcie
wydajność: Wysoka wydajność
86-189-8872-0515(Praca Czas)
