Wykorzystanie wielokrotne półprzewodnik o dużej mocy kanał N

Name: Wykorzystanie wielokrotne półprzewodnik o dużej mocy kanał N
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Falownik IGBT
(37)

IGBT dużej mocy
(38)

MOSFET dużej mocy
(48)

MOSFET z superpołączeniem
(48)

MOSFET niskiego napięcia
(81)

MOSFET wysokiego napięcia
(54)

Diody barierowe Schottky'ego
(80)

Diody szybkiego odzyskiwania
(49)

Niski VF Schottky
(65)

Półprzewodnik dużej mocy
(28)

MOSFET z węglika krzemu
(21)

SBD z węglowodorów krzemowych
(21)

Orzecznictwo

Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certyfikaty

Opinie klientów

Świetny produkt, dokładnie tak jak opisano, szybka przesyłka i świetna obsługa.

—— minifux1

bardzo szybkie przesyłanie, dobrze zapakowane i te kable są zdecydowanie wysokiej jakości! nie kupiłem nigdzie indziej i będę nadal dostawać moje kable od tego sprzedawcy! AAA+++

—— Mahdi

Doskonała obsługa, jak zwykle.

—— Sophia.

Im Online Czat teraz

Wykorzystanie wielokrotne półprzewodnik o dużej mocy kanał N

Duży Obraz : Wykorzystanie wielokrotne półprzewodnik o dużej mocy kanał N

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Chiny
Nazwa handlowa:	Lingxun
Orzecznictwo:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Dokument:	About Lingxun(1).pdf

Zapłata:

Minimalne zamówienie:	Zgodnie z wymaganiami zamówienia
Cena:	According to your order requirement
Szczegóły pakowania:	Tuba+karton
Czas dostawy:	Zgodnie z wymaganiami zamówienia
Zasady płatności:	T/T
Możliwość Supply:	600KK/rok

Kontakt

Wykorzystanie wielokrotne półprzewodnik o dużej mocy kanał N

Opis

napięcie:	Wysokie napięcie	Zalety:	Stabilny proces i niezawodna jakość
Pojemność skrzyżowania:	Niska pojemność połączenia	wydajność:	Wysoka wydajność
Cechy:	Niski RDS(on) na obszar układu scalonego (niski FOM)	Wnioski:	Falowniki solarne, Zasilacz AC-DC
Podkreślić:	Wysokiej mocy półprzewodnik N kanał , Kanał N o wysokiej mocy , N-kanałowy półprzewodnik o dużej mocy

Wykorzystanie wielokrotne półprzewodnik o dużej mocy kanał N

Cechy

• Niska opłata bramki

• Niski poziom RDS (włączony) na obszar chipu (niskie poziomy FOM)

• Bardzo niskie straty przełączania i przewodzenia

• Niezwykle wysoka wytrzymałość przełączania

WYMAJANIA

• Inwertery słoneczne

• telewizor LCD/LED/PDP

• Zasilanie telekomunikacyjne/serwerów

• Zasilanie prądem AC-DC

Etykietka:

Półprzewodnik wysokonapięciowy,

MOSFET dużej mocy,

IGBT dużej mocy

Szczegóły kontaktu

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Osoba kontaktowa: Mrs. Qinqin

Tel: +8618988720515

Faks: 86-189-8872-0515

Inne produkty

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET wysokiej mocy do przełączania ładowarki

ID: 11A

Vdss: 650 V

Typ RDSON VGS=10V: 340 mΩ

Zakres temperatury roboczej (Tj): -50°C do +150°C

Wysokonapięciowy półprzewodnik wysokiej mocy typu N o niskim przecieku

Odporność na temperaturę: Odporność na wysoką temperaturę

Rodzaj: N

Światło wysokie: Półprzewodniki mocy wysokiego napięcia charakteryzują się zdolnością do wydajnego radzenia sobie z w

Pojemność skrzyżowania: Niska pojemność połączenia

TO-220F Tranzystory o działaniu pola półprzewodnikowego tlenku metalu 15A 600V 274mΩ

ID: 15A

Vdss: 600 V

Typ RDSON VGS=10V: 274 mΩ

Wnioski: Falowniki słoneczne, telewizory LCD/LED/PDP, zasilacze telekomunikacyjne/serwerowe

Niski przełącznik półprzewodnik wysokiej mocy 15A 650V 238mΩ dla konwerterów prądu stałego

ID: 15A

Napięcie dren-źródło: 650 V

Typ RDSON VGS=10V: 238 mΩ

Wnioski: Falowniki słoneczne, telewizory LCD/LED/PDP, zasilacze telekomunikacyjne/serwerowe

20A 650V 150mΩ MOS chłodny dla zasilania w trybie przełączonym

ID: 20A

Napięcie dren-źródło: 650 V

Typ RDSON VGS=10V: 150 mΩ

Wnioski: Topologie miękkiego przełączania, zasilacze telekomunikacyjne i sieciowe

Wykorzystanie wielokrotne półprzewodnik o dużej mocy kanał N

Falownik IGBT

IGBT dużej mocy

MOSFET dużej mocy

MOSFET z superpołączeniem

MOSFET niskiego napięcia

MOSFET wysokiego napięcia

Diody barierowe Schottky'ego

Diody szybkiego odzyskiwania

Niski VF Schottky

Półprzewodnik dużej mocy

MOSFET z węglika krzemu

SBD z węglowodorów krzemowych

Wykorzystanie wielokrotne półprzewodnik o dużej mocy kanał N

Wykorzystanie wielokrotne półprzewodnik o dużej mocy kanał N

Wysokiej mocy półprzewodnik N kanał

Kanał N o wysokiej mocy

N-kanałowy półprzewodnik o dużej mocy

Półprzewodnik wysokonapięciowy,

MOSFET dużej mocy,

IGBT dużej mocy

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET wysokiej mocy do przełączania ładowarki

Wysokonapięciowy półprzewodnik wysokiej mocy typu N o niskim przecieku

TO-220F Tranzystory o działaniu pola półprzewodnikowego tlenku metalu 15A 600V 274mΩ

Niski przełącznik półprzewodnik wysokiej mocy 15A 650V 238mΩ dla konwerterów prądu stałego

20A 650V 150mΩ MOS chłodny dla zasilania w trybie przełączonym

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC