Dom Produktyhigh power igbt producent online

Wszystkie produkty

Falownik IGBT
(37)

IGBT dużej mocy
(38)

MOSFET dużej mocy
(48)

MOSFET z superpołączeniem
(48)

MOSFET niskiego napięcia
(81)

MOSFET wysokiego napięcia
(54)

Diody barierowe Schottky'ego
(80)

Diody szybkiego odzyskiwania
(49)

Niski VF Schottky
(65)

Półprzewodnik dużej mocy
(28)

MOSFET z węglika krzemu
(21)

SBD z węglowodorów krzemowych
(21)

Orzecznictwo

Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certyfikaty

Opinie klientów

Świetny produkt, dokładnie tak jak opisano, szybka przesyłka i świetna obsługa.

—— minifux1

bardzo szybkie przesyłanie, dobrze zapakowane i te kable są zdecydowanie wysokiej jakości! nie kupiłem nigdzie indziej i będę nadal dostawać moje kable od tego sprzedawcy! AAA+++

—— Mahdi

Doskonała obsługa, jak zwykle.

—— Sophia.

Im Online Czat teraz

high power igbt produkcja online

(574)

Wielofunkcyjne diody barierowe Schottky'ego TO-251 do zasilania
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:37

Szybka prędkość przełączania Dioda Schottky Vf do zasilania i energii słonecznej
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:22

Jednostki zasilania Diody Schottky o niskim napięciu VF zmniejszają straty mocy podczas naprawy
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:19

N-kanałowy półprzewodnik wysokonapięciowy o niskiej pojemności łącza
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:33

Moc MOSFET z wysoką odpornością na temperaturę, niskim wyciekiem i niską pojemnością połączenia
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:17

Niski poziom przecieku Niski poziom połączenia Pojemność wysoka temperatura Opór napięcie N kanał półprzewodnik mocy
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:22

Wysokiej odporności na temperaturę, niskiego wycieku, niskiej pojemności połączenia typu N, MOSFETy dla zaawansowanej efektywności energetycznej
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:27

Półprzewodnik o wysokiej odporności na temperaturę o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:25

Wysokonapięciowy półprzewodnik o tolerancji mocy TO-220F dla przetwornika mocy
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:25

Wysokie tolerancje temperatury Sic Power Mosfet TO-220AC dla jednostek zasilania
Kontakt

Czytaj więcej

2025-01-15 14:19:45

Page 14 of 58|< << 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 >> >|

Falownik IGBT

IGBT dużej mocy

MOSFET dużej mocy

MOSFET z superpołączeniem

MOSFET niskiego napięcia

MOSFET wysokiego napięcia

Diody barierowe Schottky'ego

Diody szybkiego odzyskiwania

Niski VF Schottky

Półprzewodnik dużej mocy

MOSFET z węglika krzemu

SBD z węglowodorów krzemowych

high power igbt produkcja online

Wielofunkcyjne diody barierowe Schottky'ego TO-251 do zasilania
Kontakt

Szybka prędkość przełączania Dioda Schottky Vf do zasilania i energii słonecznej
Kontakt

Jednostki zasilania Diody Schottky o niskim napięciu VF zmniejszają straty mocy podczas naprawy
Kontakt

N-kanałowy półprzewodnik wysokonapięciowy o niskiej pojemności łącza
Kontakt

Moc MOSFET z wysoką odpornością na temperaturę, niskim wyciekiem i niską pojemnością połączenia
Kontakt

Niski poziom przecieku Niski poziom połączenia Pojemność wysoka temperatura Opór napięcie N kanał półprzewodnik mocy
Kontakt

Wysokiej odporności na temperaturę, niskiego wycieku, niskiej pojemności połączenia typu N, MOSFETy dla zaawansowanej efektywności energetycznej
Kontakt

Półprzewodnik o wysokiej odporności na temperaturę o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

Wysokonapięciowy półprzewodnik o tolerancji mocy TO-220F dla przetwornika mocy
Kontakt

Wysokie tolerancje temperatury Sic Power Mosfet TO-220AC dla jednostek zasilania
Kontakt

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC