Dom Produktyhigh power igbt producent online

Wszystkie produkty

Falownik IGBT
(37)

IGBT dużej mocy
(38)

MOSFET dużej mocy
(48)

MOSFET z superpołączeniem
(48)

MOSFET niskiego napięcia
(81)

MOSFET wysokiego napięcia
(54)

Diody barierowe Schottky'ego
(80)

Diody szybkiego odzyskiwania
(49)

Niski VF Schottky
(65)

Półprzewodnik dużej mocy
(28)

MOSFET z węglika krzemu
(21)

SBD z węglowodorów krzemowych
(21)

Orzecznictwo

Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certyfikaty

Opinie klientów

Świetny produkt, dokładnie tak jak opisano, szybka przesyłka i świetna obsługa.

—— minifux1

bardzo szybkie przesyłanie, dobrze zapakowane i te kable są zdecydowanie wysokiej jakości! nie kupiłem nigdzie indziej i będę nadal dostawać moje kable od tego sprzedawcy! AAA+++

—— Mahdi

Doskonała obsługa, jak zwykle.

—— Sophia.

Im Online Czat teraz

high power igbt produkcja online

(574)

Wykorzystanie diody Schottky'ego dla serwotrawcy
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:18

Dioda Schottky'ego o niskiej częstotliwości VF dla przenośnej elektroniki
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:18

Wielofunkcyjny diodę Schottky'ego do inwerterów i adapterów
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:18

Niski czas odwrotnego regeneracji Niski VF Schottky TO-220 TO-247
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-10 11:02:55

Element krytyczny Dioda Schottky'ego o niskiej częstotliwości fal TO-252 do łączności bezprzewodowej
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:24

MOSFET z węglem krzemowym o niskiej odporności dla infrastruktury sieci
Kontakt

Czytaj więcej

2025-01-15 15:48:37

N-kanałowy MOSFET z węglanu krzemowego do 220AC Niskie wymagania dotyczące rozpraszania ciepła
Kontakt

Czytaj więcej

2025-01-15 15:48:56

Super Junction N Channel MOSFET 5A 650V 780mΩ dla inwerterów słonecznych
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:07

5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 Nawierzchnia zamontowana
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:12

Nawierzchnia montaż niska brama ładowania SJ Mosfet 7A 650V 525mΩ dla SMPS
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:24

Page 46 of 58|< << 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 >> >|

Falownik IGBT

IGBT dużej mocy

MOSFET dużej mocy

MOSFET z superpołączeniem

MOSFET niskiego napięcia

MOSFET wysokiego napięcia

Diody barierowe Schottky'ego

Diody szybkiego odzyskiwania

Niski VF Schottky

Półprzewodnik dużej mocy

MOSFET z węglika krzemu

SBD z węglowodorów krzemowych

high power igbt produkcja online

Wykorzystanie diody Schottky'ego dla serwotrawcy
Kontakt

Dioda Schottky'ego o niskiej częstotliwości VF dla przenośnej elektroniki
Kontakt

Wielofunkcyjny diodę Schottky'ego do inwerterów i adapterów
Kontakt

Niski czas odwrotnego regeneracji Niski VF Schottky TO-220 TO-247
Kontakt

Element krytyczny Dioda Schottky'ego o niskiej częstotliwości fal TO-252 do łączności bezprzewodowej
Kontakt

MOSFET z węglem krzemowym o niskiej odporności dla infrastruktury sieci
Kontakt

N-kanałowy MOSFET z węglanu krzemowego do 220AC Niskie wymagania dotyczące rozpraszania ciepła
Kontakt

Super Junction N Channel MOSFET 5A 650V 780mΩ dla inwerterów słonecznych
Kontakt

5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 Nawierzchnia zamontowana
Kontakt

Nawierzchnia montaż niska brama ładowania SJ Mosfet 7A 650V 525mΩ dla SMPS
Kontakt

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC