Dom Produktyhigh voltage igbt producent online

Wszystkie produkty

Falownik IGBT
(37)

IGBT dużej mocy
(38)

MOSFET dużej mocy
(48)

MOSFET z superpołączeniem
(48)

MOSFET niskiego napięcia
(81)

MOSFET wysokiego napięcia
(54)

Diody barierowe Schottky'ego
(80)

Diody szybkiego odzyskiwania
(49)

Niski VF Schottky
(65)

Półprzewodnik dużej mocy
(28)

MOSFET z węglika krzemu
(21)

SBD z węglowodorów krzemowych
(21)

Orzecznictwo

Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certyfikaty

Opinie klientów

Świetny produkt, dokładnie tak jak opisano, szybka przesyłka i świetna obsługa.

—— minifux1

bardzo szybkie przesyłanie, dobrze zapakowane i te kable są zdecydowanie wysokiej jakości! nie kupiłem nigdzie indziej i będę nadal dostawać moje kable od tego sprzedawcy! AAA+++

—— Mahdi

Doskonała obsługa, jak zwykle.

—— Sophia.

Im Online Czat teraz

high voltage igbt produkcja online

(574)

500V N Channel wysokiej mocy MOSFET wielofunkcyjny półprzewodnik tlenku metalu
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-10 10:27:24

MOSFET wysokiego prądu 600 V dla układów sterowania i mostów
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-10 10:27:23

N Channel Super Junction MOSFET Surface Mount High Frequency Switching Cool MOS
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-10 10:28:09

Wysokiej konsystencji SuperJunction MOSFET Industrial Cool MOS dla obwodu PFC
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:21

Doskonały ładunek bramy N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 Wysokiej mocy półprzewodnik
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:29:56

2A650V CS2N65A4 Mosfet o wysokiej prędkości przełączania dla szybkich i stabilnych osiągów przełączania
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:01

MBR10200DC 10A200V TO-263 Diody barierowe Schottky'ego chroniące przed nad napięciem
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:56

MBR10150DC 10A150V TO-263 Schottky Barrier Rectifier Niskie napięcie do przodu dla zasilania
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:58

10A60V MBR1060CT Niskie napięcie do przodu spadające Diody barierowe Schottky dla rozwiązania oświetleniowego
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:23

10A150V MBR10150CT Diody barierowe Schottky'ego o niskim napięciu VF Wysoki odwrotny prąd nasycenia
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:23

Page 35 of 58|< << 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 >> >|

Falownik IGBT

IGBT dużej mocy

MOSFET dużej mocy

MOSFET z superpołączeniem

MOSFET niskiego napięcia

MOSFET wysokiego napięcia

Diody barierowe Schottky'ego

Diody szybkiego odzyskiwania

Niski VF Schottky

Półprzewodnik dużej mocy

MOSFET z węglika krzemu

SBD z węglowodorów krzemowych

high voltage igbt produkcja online

500V N Channel wysokiej mocy MOSFET wielofunkcyjny półprzewodnik tlenku metalu
Kontakt

MOSFET wysokiego prądu 600 V dla układów sterowania i mostów
Kontakt

N Channel Super Junction MOSFET Surface Mount High Frequency Switching Cool MOS
Kontakt

Wysokiej konsystencji SuperJunction MOSFET Industrial Cool MOS dla obwodu PFC
Kontakt

Doskonały ładunek bramy N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 Wysokiej mocy półprzewodnik
Kontakt

2A650V CS2N65A4 Mosfet o wysokiej prędkości przełączania dla szybkich i stabilnych osiągów przełączania
Kontakt

MBR10200DC 10A200V TO-263 Diody barierowe Schottky'ego chroniące przed nad napięciem
Kontakt

MBR10150DC 10A150V TO-263 Schottky Barrier Rectifier Niskie napięcie do przodu dla zasilania
Kontakt

10A60V MBR1060CT Niskie napięcie do przodu spadające Diody barierowe Schottky dla rozwiązania oświetleniowego
Kontakt

10A150V MBR10150CT Diody barierowe Schottky'ego o niskim napięciu VF Wysoki odwrotny prąd nasycenia
Kontakt

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC