Dom Produktyhigh voltage semiconductor producent online

Wszystkie produkty

Falownik IGBT
(37)

IGBT dużej mocy
(38)

MOSFET dużej mocy
(48)

MOSFET z superpołączeniem
(48)

MOSFET niskiego napięcia
(81)

MOSFET wysokiego napięcia
(54)

Diody barierowe Schottky'ego
(80)

Diody szybkiego odzyskiwania
(49)

Niski VF Schottky
(65)

Półprzewodnik dużej mocy
(28)

MOSFET z węglika krzemu
(21)

SBD z węglowodorów krzemowych
(21)

Orzecznictwo

Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certyfikaty

Opinie klientów

Świetny produkt, dokładnie tak jak opisano, szybka przesyłka i świetna obsługa.

—— minifux1

bardzo szybkie przesyłanie, dobrze zapakowane i te kable są zdecydowanie wysokiej jakości! nie kupiłem nigdzie indziej i będę nadal dostawać moje kable od tego sprzedawcy! AAA+++

—— Mahdi

Doskonała obsługa, jak zwykle.

—— Sophia.

Im Online Czat teraz

high voltage semiconductor produkcja online

(579)

MOSFET niskiego napięcia od 60 V do 220 C, odpowiedni do nowoczesnej elektroniki
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:40

Podstawowe elementy Niskonapięciowy MOSFET Różnorodność urządzeń i systemów elektronicznych
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:40

Czyste wysokiej mocy IGBT szybka prędkość przełączania dla elektroniki samochodowej
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:41:53

20A150V MBR20150CS Diody barierowe Schottky'ego Wysokiej częstotliwości Przełącznik Zasilanie z szybką prędkością przełączania
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:29:22

30A100V MBR30100CT Diody Schottky'ego o niskim napięciu VF z wysokim prądem zwrotnego nasycenia
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:23

40A200V MBR40200CT Diody barierowe Schottky'ego o niskim napięciu naprzód
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:20

10A 150V MBR10150FCT Affordable Schottky Barrier Diodes For High Frequency Switching And On Board DC / DC Converters
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:25

10A 200V Niskie VF Wysokie odwrotne zasycenie prądu Diody Schottky MBR10200FCT
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:24

Oszczędność energii TO-220C opakowany krzemowy niskiego napięcia Mosfet
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:29

Silikon niskiego progu Mosfet przystępny
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:43

Page 18 of 58|< << 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 >> >|

Falownik IGBT

IGBT dużej mocy

MOSFET dużej mocy

MOSFET z superpołączeniem

MOSFET niskiego napięcia

MOSFET wysokiego napięcia

Diody barierowe Schottky'ego

Diody szybkiego odzyskiwania

Niski VF Schottky

Półprzewodnik dużej mocy

MOSFET z węglika krzemu

SBD z węglowodorów krzemowych

high voltage semiconductor produkcja online

MOSFET niskiego napięcia od 60 V do 220 C, odpowiedni do nowoczesnej elektroniki
Kontakt

Podstawowe elementy Niskonapięciowy MOSFET Różnorodność urządzeń i systemów elektronicznych
Kontakt

Czyste wysokiej mocy IGBT szybka prędkość przełączania dla elektroniki samochodowej
Kontakt

20A150V MBR20150CS Diody barierowe Schottky'ego Wysokiej częstotliwości Przełącznik Zasilanie z szybką prędkością przełączania
Kontakt

30A100V MBR30100CT Diody Schottky'ego o niskim napięciu VF z wysokim prądem zwrotnego nasycenia
Kontakt

40A200V MBR40200CT Diody barierowe Schottky'ego o niskim napięciu naprzód
Kontakt

10A 150V MBR10150FCT Affordable Schottky Barrier Diodes For High Frequency Switching And On Board DC / DC Converters
Kontakt

10A 200V Niskie VF Wysokie odwrotne zasycenie prądu Diody Schottky MBR10200FCT
Kontakt

Oszczędność energii TO-220C opakowany krzemowy niskiego napięcia Mosfet
Kontakt

Silikon niskiego progu Mosfet przystępny
Kontakt

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC