Dom Produktyigbt power inverter producent online

Wszystkie produkty

Falownik IGBT
(37)

IGBT dużej mocy
(38)

MOSFET dużej mocy
(48)

MOSFET z superpołączeniem
(48)

MOSFET niskiego napięcia
(81)

MOSFET wysokiego napięcia
(54)

Diody barierowe Schottky'ego
(80)

Diody szybkiego odzyskiwania
(49)

Niski VF Schottky
(65)

Półprzewodnik dużej mocy
(28)

MOSFET z węglika krzemu
(21)

SBD z węglowodorów krzemowych
(21)

Orzecznictwo

Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certyfikaty

Opinie klientów

Świetny produkt, dokładnie tak jak opisano, szybka przesyłka i świetna obsługa.

—— minifux1

bardzo szybkie przesyłanie, dobrze zapakowane i te kable są zdecydowanie wysokiej jakości! nie kupiłem nigdzie indziej i będę nadal dostawać moje kable od tego sprzedawcy! AAA+++

—— Mahdi

Doskonała obsługa, jak zwykle.

—— Sophia.

Im Online Czat teraz

igbt power inverter produkcja online

(575)

Niższe napięcie do przodu Diody barierowe Schottky
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:43

Urządzenia elektroniczne Diody szybkiego odzysku dla źródeł zasilania FRD
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-10 11:01:31

TO-220AC Ultraszybkie diody Czas odzyskiwania 15-35ns Do zastosowań urządzeń energetycznych
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:00

Szybka prędkość przełączania Dioda Schottky Vf do zasilania i energii słonecznej
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:22

Wysokiej wydajności nisko napięcia diody Schottky TO-263 dla jednostek zasilania
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:20

Jednostki zasilania Diody Schottky o niskim napięciu VF zmniejszają straty mocy podczas naprawy
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:19

Diody Schottky o niskiej częstotliwości VF zgodne z RoHS do przełączania źródeł zasilania
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:19

Niski poziom przecieku Niski poziom połączenia Pojemność wysoka temperatura Opór napięcie N kanał półprzewodnik mocy
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:22

Niskie wycieki, wysokiej mocy, półprzewodniki dyskretne, zwiększona wydajność energetyczna
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:28

Półprzewodnik o wysokiej odporności na temperaturę o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:25

Page 18 of 58|< << 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 >> >|

Falownik IGBT

IGBT dużej mocy

MOSFET dużej mocy

MOSFET z superpołączeniem

MOSFET niskiego napięcia

MOSFET wysokiego napięcia

Diody barierowe Schottky'ego

Diody szybkiego odzyskiwania

Niski VF Schottky

Półprzewodnik dużej mocy

MOSFET z węglika krzemu

SBD z węglowodorów krzemowych

igbt power inverter produkcja online

Niższe napięcie do przodu Diody barierowe Schottky
Kontakt

Urządzenia elektroniczne Diody szybkiego odzysku dla źródeł zasilania FRD
Kontakt

TO-220AC Ultraszybkie diody Czas odzyskiwania 15-35ns Do zastosowań urządzeń energetycznych
Kontakt

Szybka prędkość przełączania Dioda Schottky Vf do zasilania i energii słonecznej
Kontakt

Wysokiej wydajności nisko napięcia diody Schottky TO-263 dla jednostek zasilania
Kontakt

Jednostki zasilania Diody Schottky o niskim napięciu VF zmniejszają straty mocy podczas naprawy
Kontakt

Diody Schottky o niskiej częstotliwości VF zgodne z RoHS do przełączania źródeł zasilania
Kontakt

Niski poziom przecieku Niski poziom połączenia Pojemność wysoka temperatura Opór napięcie N kanał półprzewodnik mocy
Kontakt

Niskie wycieki, wysokiej mocy, półprzewodniki dyskretne, zwiększona wydajność energetyczna
Kontakt

Półprzewodnik o wysokiej odporności na temperaturę o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC