Dom Produktyigbt power inverter producent online

Wszystkie produkty

Falownik IGBT
(37)

IGBT dużej mocy
(38)

MOSFET dużej mocy
(48)

MOSFET z superpołączeniem
(48)

MOSFET niskiego napięcia
(81)

MOSFET wysokiego napięcia
(54)

Diody barierowe Schottky'ego
(80)

Diody szybkiego odzyskiwania
(49)

Niski VF Schottky
(65)

Półprzewodnik dużej mocy
(28)

MOSFET z węglika krzemu
(21)

SBD z węglowodorów krzemowych
(21)

Orzecznictwo

Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certyfikaty

Opinie klientów

Świetny produkt, dokładnie tak jak opisano, szybka przesyłka i świetna obsługa.

—— minifux1

bardzo szybkie przesyłanie, dobrze zapakowane i te kable są zdecydowanie wysokiej jakości! nie kupiłem nigdzie indziej i będę nadal dostawać moje kable od tego sprzedawcy! AAA+++

—— Mahdi

Doskonała obsługa, jak zwykle.

—— Sophia.

Im Online Czat teraz

igbt power inverter produkcja online

(575)

Diody szybkiego odzyskiwania niskiej pojemności do przetworników i inwerterów przełączania trybu
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:55

Super Junction N Channel MOSFET 5A 650V 780mΩ dla inwerterów słonecznych
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:07

N Typ Super Junction MOSFET Power Transistor Anti EMI dla SMPS
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:27:27

Nawierzchnia 7A 600V Super Junction MOS dla zasilania AC-DC
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:25

11A 600V 338mΩ DO-220F Chłodny MOS Niski FOM dla źródeł zasilania
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:11

FRD Si Super Junction MOSFET 47A 600V 68mΩ do zasilania
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:23

N-kanałowy półprzewodnik o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:26

Urządzenia dyskretne mocy Supper Junction MOSFET dla sterownika LED
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:27:30

Kuchenka indukcyjna SBD węglanu krzemowego w celu poprawy wydajności konwersji mocy
Kontakt

Czytaj więcej

2025-01-15 14:33:49

N Channel Super Junction Mosfet z szybką diodą o niskim Rdson dla zasilania w trybie przełącznika
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-10 16:22:39

Page 26 of 58|< << 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 >> >|

Falownik IGBT

IGBT dużej mocy

MOSFET dużej mocy

MOSFET z superpołączeniem

MOSFET niskiego napięcia

MOSFET wysokiego napięcia

Diody barierowe Schottky'ego

Diody szybkiego odzyskiwania

Niski VF Schottky

Półprzewodnik dużej mocy

MOSFET z węglika krzemu

SBD z węglowodorów krzemowych

igbt power inverter produkcja online

Diody szybkiego odzyskiwania niskiej pojemności do przetworników i inwerterów przełączania trybu
Kontakt

Super Junction N Channel MOSFET 5A 650V 780mΩ dla inwerterów słonecznych
Kontakt

N Typ Super Junction MOSFET Power Transistor Anti EMI dla SMPS
Kontakt

Nawierzchnia 7A 600V Super Junction MOS dla zasilania AC-DC
Kontakt

11A 600V 338mΩ DO-220F Chłodny MOS Niski FOM dla źródeł zasilania
Kontakt

FRD Si Super Junction MOSFET 47A 600V 68mΩ do zasilania
Kontakt

N-kanałowy półprzewodnik o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

Urządzenia dyskretne mocy Supper Junction MOSFET dla sterownika LED
Kontakt

Kuchenka indukcyjna SBD węglanu krzemowego w celu poprawy wydajności konwersji mocy
Kontakt

N Channel Super Junction Mosfet z szybką diodą o niskim Rdson dla zasilania w trybie przełącznika
Kontakt

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC