logo
Poprosić o wycenę |
Dom Produktyigbt power inverter producent online
Wszystkie produkty

Falownik IGBT

(37)

IGBT dużej mocy

(38)

MOSFET dużej mocy

(48)

MOSFET z superpołączeniem

(48)

MOSFET niskiego napięcia

(81)

MOSFET wysokiego napięcia

(54)

Diody barierowe Schottky'ego

(80)

Diody szybkiego odzyskiwania

(49)

Niski VF Schottky

(65)

Półprzewodnik dużej mocy

(28)

MOSFET z węglika krzemu

(21)

SBD z węglowodorów krzemowych

(21)
Orzecznictwo
Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certyfikaty
Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certyfikaty
Opinie klientów
Świetny produkt, dokładnie tak jak opisano, szybka przesyłka i świetna obsługa.

—— minifux1

bardzo szybkie przesyłanie, dobrze zapakowane i te kable są zdecydowanie wysokiej jakości! nie kupiłem nigdzie indziej i będę nadal dostawać moje kable od tego sprzedawcy! AAA+++

—— Mahdi

Doskonała obsługa, jak zwykle.

—— Sophia.

Im Online Czat teraz

igbt power inverter produkcja online

(575)
kupować 30A150V MBR30150CT Planner Schottky Barrier Diodes To-220AB w Internecie producent

30A150V MBR30150CT Planner Schottky Barrier Diodes To-220AB
Kontakt

Czytaj więcej
2025-02-08 09:43:29
kupować Ultra niskie opory wewnętrzne wysokonapięciowy MOSFET TO-220F do ładowania stertu w Internecie producent

Ultra niskie opory wewnętrzne wysokonapięciowy MOSFET TO-220F do ładowania stertu
Kontakt

Czytaj więcej
2025-02-08 09:43:15
kupować Wykorzystanie diody Schottky'ego dla serwotrawcy w Internecie producent

Wykorzystanie diody Schottky'ego dla serwotrawcy
Kontakt

Czytaj więcej
2025-02-08 09:44:18
kupować 5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 Nawierzchnia zamontowana w Internecie producent

5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 Nawierzchnia zamontowana
Kontakt

Czytaj więcej
2025-02-08 09:42:12
kupować TO-252 wysokonapięciowy MOSFET 11A 600V 338mΩ dla adaptera oświetlenia LED w Internecie producent

TO-252 wysokonapięciowy MOSFET 11A 600V 338mΩ dla adaptera oświetlenia LED
Kontakt

Czytaj więcej
2025-02-08 09:43:13
kupować TO-220F Tranzystory o działaniu pola półprzewodnikowego tlenku metalu 15A 600V 274mΩ w Internecie producent

TO-220F Tranzystory o działaniu pola półprzewodnikowego tlenku metalu 15A 600V 274mΩ
Kontakt

Czytaj więcej
2025-02-08 09:44:36
kupować 70A 650V 38mΩ Si Super Junction MOSFET z diodą szybkiego odzysku w Internecie producent

70A 650V 38mΩ Si Super Junction MOSFET z diodą szybkiego odzysku
Kontakt

Czytaj więcej
2025-02-10 10:28:07
kupować Si Super Junction MOSFET Wysoki prąd chłodny Mos 47A 600V 68mΩ w Internecie producent

Si Super Junction MOSFET Wysoki prąd chłodny Mos 47A 600V 68mΩ
Kontakt

Czytaj więcej
2025-02-08 09:42:14
kupować Transistor wysokiego napięcia typu N TO-220F o niskiej pojemności połączenia w Internecie producent

Transistor wysokiego napięcia typu N TO-220F o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

Czytaj więcej
2025-02-08 09:44:33
kupować Szybkie przełączanie typu N MOSFET do 220F 5000pF w Internecie producent

Szybkie przełączanie typu N MOSFET do 220F 5000pF
Kontakt

Czytaj więcej
2025-02-08 09:42:09
Page 33 of 58|< 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 >|
O

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Falownik IGBT dostawca. © 2024 - 2025 Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd. All Rights Reserved.
vr