Dom Produktyrecovery diode producent online

Wszystkie produkty

Falownik IGBT
(37)

IGBT dużej mocy
(38)

MOSFET dużej mocy
(48)

MOSFET z superpołączeniem
(48)

MOSFET niskiego napięcia
(81)

MOSFET wysokiego napięcia
(54)

Diody barierowe Schottky'ego
(80)

Diody szybkiego odzyskiwania
(49)

Niski VF Schottky
(65)

Półprzewodnik dużej mocy
(28)

MOSFET z węglika krzemu
(21)

SBD z węglowodorów krzemowych
(21)

Orzecznictwo

Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certyfikaty

Opinie klientów

Świetny produkt, dokładnie tak jak opisano, szybka przesyłka i świetna obsługa.

—— minifux1

bardzo szybkie przesyłanie, dobrze zapakowane i te kable są zdecydowanie wysokiej jakości! nie kupiłem nigdzie indziej i będę nadal dostawać moje kable od tego sprzedawcy! AAA+++

—— Mahdi

Doskonała obsługa, jak zwykle.

—— Sophia.

Im Online Czat teraz

recovery diode produkcja online

(578)

N-kanałowy półprzewodnik wysokiej mocy TO-220F z wysoką odpornością na temperaturę
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:32

N-kanałowy półprzewodnik wysokonapięciowy o niskiej pojemności łącza
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:33

Moc MOSFET z wysoką odpornością na temperaturę, niskim wyciekiem i niską pojemnością połączenia
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:17

Niski poziom przecieku Niski poziom połączenia Pojemność wysoka temperatura Opór napięcie N kanał półprzewodnik mocy
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:22

Niskie napięcie pojemności połączenia IGBT dla temperatury o niskim wycieku
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:22

N-kanałowy półprzewodnik o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:26

Wysokiej odporności na temperaturę, niskiego wycieku, niskiej pojemności połączenia typu N, MOSFETy dla zaawansowanej efektywności energetycznej
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:27

N Wysokonapięciowy półprzewodnik TO-251 ze zwiększoną wydajnością termiczną
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:27

Niskie wycieki, wysokiej mocy, półprzewodniki dyskretne, zwiększona wydajność energetyczna
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:28

Półprzewodnik o wysokiej odporności na temperaturę o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:25

Page 40 of 58|< << 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 >> >|

Falownik IGBT

IGBT dużej mocy

MOSFET dużej mocy

MOSFET z superpołączeniem

MOSFET niskiego napięcia

MOSFET wysokiego napięcia

Diody barierowe Schottky'ego

Diody szybkiego odzyskiwania

Niski VF Schottky

Półprzewodnik dużej mocy

MOSFET z węglika krzemu

SBD z węglowodorów krzemowych

recovery diode produkcja online

N-kanałowy półprzewodnik wysokiej mocy TO-220F z wysoką odpornością na temperaturę
Kontakt

N-kanałowy półprzewodnik wysokonapięciowy o niskiej pojemności łącza
Kontakt

Moc MOSFET z wysoką odpornością na temperaturę, niskim wyciekiem i niską pojemnością połączenia
Kontakt

Niski poziom przecieku Niski poziom połączenia Pojemność wysoka temperatura Opór napięcie N kanał półprzewodnik mocy
Kontakt

Niskie napięcie pojemności połączenia IGBT dla temperatury o niskim wycieku
Kontakt

N-kanałowy półprzewodnik o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

Wysokiej odporności na temperaturę, niskiego wycieku, niskiej pojemności połączenia typu N, MOSFETy dla zaawansowanej efektywności energetycznej
Kontakt

N Wysokonapięciowy półprzewodnik TO-251 ze zwiększoną wydajnością termiczną
Kontakt

Niskie wycieki, wysokiej mocy, półprzewodniki dyskretne, zwiększona wydajność energetyczna
Kontakt

Półprzewodnik o wysokiej odporności na temperaturę o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC