Dom Produktysic power mosfet producent online

Wszystkie produkty

Falownik IGBT
(37)

IGBT dużej mocy
(38)

MOSFET dużej mocy
(48)

MOSFET z superpołączeniem
(48)

MOSFET niskiego napięcia
(81)

MOSFET wysokiego napięcia
(54)

Diody barierowe Schottky'ego
(80)

Diody szybkiego odzyskiwania
(49)

Niski VF Schottky
(65)

Półprzewodnik dużej mocy
(28)

MOSFET z węglika krzemu
(21)

SBD z węglowodorów krzemowych
(21)

Orzecznictwo

Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certyfikaty

Opinie klientów

Świetny produkt, dokładnie tak jak opisano, szybka przesyłka i świetna obsługa.

—— minifux1

bardzo szybkie przesyłanie, dobrze zapakowane i te kable są zdecydowanie wysokiej jakości! nie kupiłem nigdzie indziej i będę nadal dostawać moje kable od tego sprzedawcy! AAA+++

—— Mahdi

Doskonała obsługa, jak zwykle.

—— Sophia.

Im Online Czat teraz

sic power mosfet produkcja online

(574)

16A200V Niskie straty mocy Diody szybkiego odzyskiwania dla inwerterów wysokiej częstotliwości MUR1620FCT
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:47

Słynne diody barierowe Lingxun Low VF MBR1045FCT Schottky dla opłacalnego zasilania
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:29

40A 650V niskiej częstotliwości IGBT wysokiej mocy dla inwerterów słonecznych
Kontakt

Czytaj więcej

2025-03-29 23:28:33

Transistor wysokiego napięcia typu N TO-220F o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:33

Obwody elektroniczne o wyższej gęstości integracji o niskim napięciu progu bramy
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:39

Stabilne chłodzenie wysokonapięciowe Mos TO-220F do automatyki przemysłowej
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:43:09

Niskonapięciowe oksydy metalu półprzewodnikowe Tranzystory o działaniu pola dla przenośnej elektroniki
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:42:42

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania
Kontakt

Czytaj więcej

2025-01-15 14:36:46

TO-220F Tranzystory o działaniu pola półprzewodnikowego tlenku metalu 15A 600V 274mΩ
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:44:36

Urządzenie półprzewodnikowe wysokiego napięcia IGBT 650V-1200V z wysoką impedancją wejściową
Kontakt

Czytaj więcej

2025-02-08 09:41:54

Page 40 of 58|< << 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 >> >|

Falownik IGBT

IGBT dużej mocy

MOSFET dużej mocy

MOSFET z superpołączeniem

MOSFET niskiego napięcia

MOSFET wysokiego napięcia

Diody barierowe Schottky'ego

Diody szybkiego odzyskiwania

Niski VF Schottky

Półprzewodnik dużej mocy

MOSFET z węglika krzemu

SBD z węglowodorów krzemowych

sic power mosfet produkcja online

16A200V Niskie straty mocy Diody szybkiego odzyskiwania dla inwerterów wysokiej częstotliwości MUR1620FCT
Kontakt

Słynne diody barierowe Lingxun Low VF MBR1045FCT Schottky dla opłacalnego zasilania
Kontakt

40A 650V niskiej częstotliwości IGBT wysokiej mocy dla inwerterów słonecznych
Kontakt

Transistor wysokiego napięcia typu N TO-220F o niskiej pojemności połączenia
Kontakt

Obwody elektroniczne o wyższej gęstości integracji o niskim napięciu progu bramy
Kontakt

Stabilne chłodzenie wysokonapięciowe Mos TO-220F do automatyki przemysłowej
Kontakt

Niskonapięciowe oksydy metalu półprzewodnikowe Tranzystory o działaniu pola dla przenośnej elektroniki
Kontakt

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania
Kontakt

TO-220F Tranzystory o działaniu pola półprzewodnikowego tlenku metalu 15A 600V 274mΩ
Kontakt

Urządzenie półprzewodnikowe wysokiego napięcia IGBT 650V-1200V z wysoką impedancją wejściową
Kontakt

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC