N-kanałowy tryb wzmacniania mocy MOSFET 11A 400V dla adaptera i ładowarki

Name: N-kanałowy tryb wzmacniania mocy MOSFET 11A 400V dla adaptera i ładowarki
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
SKU: CS11N40A
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Falownik IGBT
(37)

IGBT dużej mocy
(38)

MOSFET dużej mocy
(48)

MOSFET z superpołączeniem
(48)

MOSFET niskiego napięcia
(81)

MOSFET wysokiego napięcia
(54)

Diody barierowe Schottky'ego
(80)

Diody szybkiego odzyskiwania
(49)

Niski VF Schottky
(65)

Półprzewodnik dużej mocy
(28)

MOSFET z węglika krzemu
(21)

SBD z węglowodorów krzemowych
(21)

Najlepsze produkty

Przemysłowy wysokiej mocy MOSFET Rozpraszanie ciepła Tlenek metalu Mosfet

500V N Channel wysokiej mocy MOSFET wielofunkcyjny półprzewodnik tlenku metalu

MOSFET wysokiego prądu 600 V dla układów sterowania i mostów

Orzecznictwo

Chiny Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certyfikaty

Opinie klientów

Świetny produkt, dokładnie tak jak opisano, szybka przesyłka i świetna obsługa.

—— minifux1

bardzo szybkie przesyłanie, dobrze zapakowane i te kable są zdecydowanie wysokiej jakości! nie kupiłem nigdzie indziej i będę nadal dostawać moje kable od tego sprzedawcy! AAA+++

—— Mahdi

Doskonała obsługa, jak zwykle.

—— Sophia.

Im Online Czat teraz

N-kanałowy tryb wzmacniania mocy MOSFET 11A 400V dla adaptera i ładowarki

Duży Obraz : N-kanałowy tryb wzmacniania mocy MOSFET 11A 400V dla adaptera i ładowarki

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Chiny
Nazwa handlowa:	Lingxun
Orzecznictwo:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Numer modelu:	CS11N40A
Dokument:	About Lingxun(1).pdf

Zapłata:

Minimalne zamówienie:	Zgodnie z wymaganiami zamówienia
Cena:	According to your order requirement
Szczegóły pakowania:	Potwierdź pakiet na podstawie numeru części
Czas dostawy:	Zgodnie z wymaganiami zamówienia
Zasady płatności:	T/T
Możliwość Supply:	600KK/rok

Kontakt

N-kanałowy tryb wzmacniania mocy MOSFET 11A 400V dla adaptera i ładowarki

Opis

Opór:	Niski opór	Zakres temperatury pracy:	-55°C do +150°C
Kategoria:	MOSFET	Władza:	Wysoka moc
Rodzaj opakowania:	TO-220AB	MPN:	CS11N40A1
Typ Rdsona:	0,50 Ω	ID:	11A
Vdss:	400 V
Podkreślić:	Modu wzmocnienia mocy MOSFET 11A , Wzmocnienie trybu mocy MOSFET 400V , Adaptor N Channel MOSFET

N-kanałowy tryb wzmacniania mocy MOSFET 11A 400V dla adaptera i ładowarki

Główne cechy

ID:11A

VDSS: 400 V

RDSON-typ (@VGS=10V):0.5Ω

Wykorzystanie

Szybkie przełączanie

Niski opór ON

Niskie obciążenie bramą

Wyniki badań

Wykorzystanie

• Szybka zmiana

• Niska odporność ON

• Niska opłata za wejście

• Badanie energii lawinowej z pojedynczym impulsem w wysokości 100%

WYMAJANIA

Obwód przełącznika zasilania adaptera i ładowarki.

DATY MECHANICZNE

• Pudełko: tworzywo sztuczne

• Pozycja mocowania: dowolna

• Tworzony tworzywo sztuczne: UL Classification Classification 94V-0

• Bez ołowiu zgodnie z dyrektywą UE RoHS 2011/65/UE

• Temperatura kąpieli lutowniczej 275°C maksymalnie, 10s na JESD 22-B106

Etykietka:

MOSFET z superpołączeniem,

MOSFET z kanałem N,

Świetny MOS.

Szczegóły kontaktu

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Osoba kontaktowa: Mrs. Qinqin

Tel: +8618988720515

Faks: 86-189-8872-0515

Inne produkty

Rozwiązanie zarządzania energią typu N wysokiej mocy MOSFET dla zastosowań przemysłowych

Rodzaj urządzenia: MOSFET

Rodzaj: N

Napięcie bramka-źródło (Vgs): ±30 V

Materiał: krzem

5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 Nawierzchnia zamontowana

ID: 5A

Vdss: 650 V

Typ RDSON VGS=10V: 780 mΩ

Cechy: Niskie RDS (ON) i FOM, wyjątkowo niskie straty przełączania, doskonała stabilność i jednorodność

Rozpraszanie ciepła Transistory silnika krzemowego MOSFET o wysokiej mocy

Rodzaj: N

Kraj pochodzenia: Chiny, Nowy, Nieużywany

Rodzaj urządzenia: MOSFET

Opór: Niski opór

7A 650V 525mΩ DO-220F MOS chłodny dla nieprzerwanego zasilania

ID: 7A

Vdss: 650 V

Typ RDSON VGS=10V: 520 mΩ

Wnioski: Zasilacz impulsowy (SMPS), zasilacz bezprzerwowy (UPS), korekcja współczynnika mocy (PFC)

Wielofunkcyjny wysokiej mocy MOSFET TO-247 do nieprzerwanego zasilania

Rodzaj opakowania: TO-247

Rodzaj urządzenia: MOSFET

Władza: Wysoka moc

technologii: Planista

N-kanałowy tryb wzmacniania mocy MOSFET 11A 400V dla adaptera i ładowarki

Falownik IGBT

IGBT dużej mocy

MOSFET dużej mocy

MOSFET z superpołączeniem

MOSFET niskiego napięcia

MOSFET wysokiego napięcia

Diody barierowe Schottky'ego

Diody szybkiego odzyskiwania

Niski VF Schottky

Półprzewodnik dużej mocy

MOSFET z węglika krzemu

SBD z węglowodorów krzemowych

Przemysłowy wysokiej mocy MOSFET Rozpraszanie ciepła Tlenek metalu Mosfet

500V N Channel wysokiej mocy MOSFET wielofunkcyjny półprzewodnik tlenku metalu

MOSFET wysokiego prądu 600 V dla układów sterowania i mostów

N-kanałowy tryb wzmacniania mocy MOSFET 11A 400V dla adaptera i ładowarki

N-kanałowy tryb wzmacniania mocy MOSFET 11A 400V dla adaptera i ładowarki

Modu wzmocnienia mocy MOSFET 11A

Wzmocnienie trybu mocy MOSFET 400V

Adaptor N Channel MOSFET

MOSFET z superpołączeniem,

MOSFET z kanałem N,

Świetny MOS.

Rozwiązanie zarządzania energią typu N wysokiej mocy MOSFET dla zastosowań przemysłowych

5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 Nawierzchnia zamontowana

Rozpraszanie ciepła Transistory silnika krzemowego MOSFET o wysokiej mocy

7A 650V 525mΩ DO-220F MOS chłodny dla nieprzerwanego zasilania

Wielofunkcyjny wysokiej mocy MOSFET TO-247 do nieprzerwanego zasilania

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC