Chiny MOSFET z superpołączeniem

• 

  650V smartfony niższe na opór Super Junction Mosfet dla PFC

  Margines EMI:Duży margines EMI

  Producent:Lingxun

  Zastosowanie:Zasilacze telekomunikacyjne/serwerowe

  Skontaktuj się teraz
• 

  Urządzenia dyskretne o stabilnej mocy z bardzo niskim oporem i dużym marginesem EMI

  Światło wysokie:100% testowanych lawinowo, znacznie niższa wydajność Ron*A w przypadku sprawności w stanie nieustalo

  Zastosowanie:Zasilacze telekomunikacyjne/serwerowe

  Rodzaj:N

  Skontaktuj się teraz
• 

  Urządzenia dyskretne dla zasilania telekomunikacyjnego typu N

  Światło wysokie:100% testowanych lawinowo, znacznie niższa wydajność Ron*A w przypadku sprawności w stanie nieustalo

  Margines EMI:Duży margines EMI

  Rodzaj urządzenia:Zasilanie urządzeń dyskretnych

  Skontaktuj się teraz
• 

  Typ N Super Junction Mosfet dla zasilania telekomunikacyjnego / serwerowego

  Rodzaj:N

  Margines EMI:Duży margines EMI

  Zastosowanie:Zasilacze telekomunikacyjne/serwerowe

  Skontaktuj się teraz
• 

  Elektronika Zaawansowany MOSFET Super Junction w nieprzerwanych źródłach energii

  Światło wysokie:100% testowanych lawinowo, znacznie niższa wydajność Ron*A w przypadku sprawności w stanie nieustalo

  Zastosowanie:Zasilacze telekomunikacyjne/serwerowe

  Margines EMI:Duży margines EMI

  Skontaktuj się teraz
• 

  Zasilanie telekomunikacyjne / serwerów Sj Mosfet Wysokiej wydajności

  Rodzaj:N

  Producent:Lingxun

  Światło wysokie:100% testowanych lawinowo, znacznie niższa wydajność Ron*A w przypadku sprawności w stanie nieustalo

  Skontaktuj się teraz
• 

  7A 650V Duży margines EMI N Channel MOSFET LC65R600F

  Zastosowanie:Zasilacze telekomunikacyjne/serwerowe

  Producent:Lingxun

  Margines EMI:Duży margines EMI

  Skontaktuj się teraz
• 

  20A 650V Super Junction Mos dla zasilaczy serwerów telekomunikacyjnych

  Światło wysokie:100% testowanych lawinowo, znacznie niższa wydajność Ron*A w przypadku sprawności w stanie nieustalo

  Producent:Lingxun

  Rodzaj urządzenia:Zasilanie urządzeń dyskretnych

  Skontaktuj się teraz
• 

  Moc Duża marża EMI Super Mosfet 100% Avalanche testowane

  Rodzaj:N

  Margines EMI:Duży margines EMI

  Producent:Lingxun

  Skontaktuj się teraz
• 

  4A 650V 880mΩ Super Junction Mosfet Low On Resistance Transistor HV

  ID:4A

  Napięcie dren-źródło:650 V

  Typ RDSON VGS=10V:880 mΩ

  Skontaktuj się teraz
• 

  Si Super Junction MOSFET Wysoki prąd chłodny Mos 47A 600V 68mΩ

  ID:47A

  Napięcie dren-źródło:600 V

  Typ RDSON VGS=10V:68mΩ

  Skontaktuj się teraz
• 

  20A 650V 150mΩ MOSFET o niskim poziomie Ciss Super Junction dla źródeł zasilania

  ID:20A

  Napięcie dren-źródło:650 V

  Typ RDSON VGS=10V:150 mΩ

  Skontaktuj się teraz