Chiny MOSFET niskiego napięcia

MOSFET niskiego napięcia od 60 V do 220 C, odpowiedni do nowoczesnej elektroniki

Materiał:krzem

Pakiet:TO-251, TO-220AB

Zalety:Poprawiona wydajność systemu
Zwiększona wydajność systemu gwarantowane obwody elektroniczne niskiego napięcia MOSFET

Zalety:Poprawiona wydajność systemu

Pakiet:TO-252, TO-220AB

Opór:Niskie wartości Rds (WŁ.)
Obwody elektroniczne o wyższej gęstości integracji o niskim napięciu progu bramy

Materiał:krzem

Zużycie energii:Niskie straty mocy

Opór:Niskie wartości Rds (WŁ.)
Wysoka prędkość przełączania Niskie napięcie MOSFET wielofunkcyjny TO-220AB PDFN5060

Zalety:Poprawiona wydajność systemu

Stan wolny od ołowiu:RoHS

Pakiet:PDFN5*6, TO-220AB
MOSFET niskiego napięcia o małym rozmiarze, do kondycjonowania sygnału TO-263C

Materiał:krzem

Opór:Niskie wartości Rds (WŁ.)

Pakiet:PDFN5*6, TO-252
Zdolność termiczna MOSFET niskiego napięcia dla poprawy wydajności systemu

Stan wolny od ołowiu:RoHS

Zalety:Poprawiona wydajność systemu

Materiał:krzem
Niskie RDS ON opór Niskie napięcie MOSFET do konwersji prądu stałego na prąd stały

Zużycie energii:Niskie straty mocy

Pakiet:TO-252, TO-220AB, TO-220F

Stan wolny od ołowiu:RoHS
Ważne elementy nisko napięcia MOSFET w konwerterach i regulacjach prądu stałego

Zalety:Poprawiona wydajność systemu

Stan wolny od ołowiu:RoHS

Zużycie energii:Niskie straty mocy
MOSFET ultra niskiego oporu SGT niskiego napięcia do przełącznika obciążenia

Zużycie energii:Niskie straty mocy

Pakiet:TO-252, TO-220AB

Zalety:Poprawiona wydajność systemu
Niezawodny i wytrzymały MOSFET niskiego napięcia przyjmuje zaawansowaną technologię rowu

Zużycie energii:Niskie straty mocy

Zalety:Poprawiona wydajność systemu

Opór:Niskie wartości Rds (WŁ.)
40V Advanced Trench Technology Niskiego napięcia MOSFET do cykli ładowania baterii

Opór:Niskie wartości Rds (WŁ.)

Zalety:Poprawiona wydajność systemu

Stan wolny od ołowiu:RoHS
Poziom powierzchniowy 40V MOSFET niskiego napięcia dla cyfrowych obwodów logicznych

Materiał:krzem

Zalety:Poprawiona wydajność systemu

Opór:Niskie wartości Rds (WŁ.)

Page 5 of 7|< << 1 2 3 4 5 6 7 >> >|

MOSFET niskiego napięcia

Wielofunkcyjny niskonapięciowy MOSFET do 220C do nieprzerwanego zasilania

Wielofunkcyjny MOSFET niskiego napięcia do synchronicznego wyprostowania

50A 200V Niskie napięcie Mosfet Wysoka wydajność

Chiny MOSFET niskiego napięcia

MOSFET niskiego napięcia od 60 V do 220 C, odpowiedni do nowoczesnej elektroniki

Zwiększona wydajność systemu gwarantowane obwody elektroniczne niskiego napięcia MOSFET

Obwody elektroniczne o wyższej gęstości integracji o niskim napięciu progu bramy

Wysoka prędkość przełączania Niskie napięcie MOSFET wielofunkcyjny TO-220AB PDFN5060

MOSFET niskiego napięcia o małym rozmiarze, do kondycjonowania sygnału TO-263C

Zdolność termiczna MOSFET niskiego napięcia dla poprawy wydajności systemu

Niskie RDS ON opór Niskie napięcie MOSFET do konwersji prądu stałego na prąd stały

Ważne elementy nisko napięcia MOSFET w konwerterach i regulacjach prądu stałego

MOSFET ultra niskiego oporu SGT niskiego napięcia do przełącznika obciążenia

Niezawodny i wytrzymały MOSFET niskiego napięcia przyjmuje zaawansowaną technologię rowu

40V Advanced Trench Technology Niskiego napięcia MOSFET do cykli ładowania baterii

Poziom powierzchniowy 40V MOSFET niskiego napięcia dla cyfrowych obwodów logicznych

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC