Dom Produkty

MOSFET wysokiego napięcia

Najlepsze produkty

N Typ wysokonapięciowy MOSFET TO-247 do urządzeń audio

Wymagania w odniesieniu do MOSFET-u

Stabilność termiczna wysokonapięciowy MOSFET do zarządzania baterią

Chiny MOSFET wysokiego napięcia

12A650V wysokonapięciowy MOSFET niskiego oporu dla adaptera CS12N65A2 TO-220F

ID:12A

Vdss:650 V

Napięcie bramka-źródło (Vgs):±30 V
2A650V CS2N65A4 Mosfet o wysokiej prędkości przełączania dla szybkich i stabilnych osiągów przełączania

Numer modelu:CS2N65A4

ID:2A

Napięcie bramka-źródło (Vgs):±30 V
20A500V CS20N50A6 TO-247 Wysokonapięciowy kanał MOSFET N do zarządzania energią

Napięcie bramka-źródło (Vgs):±30 V

Numer modelu:CS20N50A6

ID:20A
10A650V CS10N65A5 wysokonapięciowy MOSFET o niskiej odporności dla zarządzania energią

ID:10A

Rodzaj:N

Vdss:650 V
2A650V CS2N65A5 Wysokonapięciowy Mosfet Powierzchnia ilość jednostek zasilania

Numer modelu:CS2N65A5

Napięcie (Vgs):±30 V

Rodzaj:N
4A650V CS4N65A4 wysokonapięciowy MOSFET typu N dla źródeł zasilania TO-251

Rodzaj:N

Numer modelu:CS4N65A4

ID:4A
10A650V N-Channel HV MOSFET CS10N65A2 TO-220F dla ładowarki zasilania

ID:10A

Vdss:650 V

Rodzaj:N
5A650V CS5N65A5 Obwód przełącznika zasilania adaptera wysokonapięciowego MOSFET

Napięcie bramka-źródło (Vgs):±30 V

ID:5A

Vdss:650 V
4A650V CS4N65A5 Powierzchniowa ilość wysokonapięciowego mosfetu do zastosowań w inteligentnych domach

Numer modelu:CS4N65A5

ID:4A

Vdss:650 V
16A650V CS16N65A8 wysokonapięciowy MOSFET z niskim ładowaniem bramki do 220F

ID:16A

Napięcie bramka-źródło (Vgs):±30 V

Rodzaj:N
2A650V CS2N65A2 MOSFET wysokonapięciowy o niskim oporze, szybkim przełączaniu

ID:2A

Napięcie bramka-źródło (Vgs):±30 V

Vdss:650 V
16A600V CS16N60A8 Mosfet wysokiego napięcia dla przełącznika zasilania obwód adaptera i ładowarki

ID:16A

Vdss:600 V

Typ RDSON （@VGS=10V）:0,4 Ω

Page 4 of 5|< << 1 2 3 4 5 >> >|

kategorie wyszukiwania：

MOSFET wysokiego napięcia

N Typ wysokonapięciowy MOSFET TO-247 do urządzeń audio

Wymagania w odniesieniu do MOSFET-u

Stabilność termiczna wysokonapięciowy MOSFET do zarządzania baterią

Chiny MOSFET wysokiego napięcia

12A650V wysokonapięciowy MOSFET niskiego oporu dla adaptera CS12N65A2 TO-220F

2A650V CS2N65A4 Mosfet o wysokiej prędkości przełączania dla szybkich i stabilnych osiągów przełączania

20A500V CS20N50A6 TO-247 Wysokonapięciowy kanał MOSFET N do zarządzania energią

10A650V CS10N65A5 wysokonapięciowy MOSFET o niskiej odporności dla zarządzania energią

2A650V CS2N65A5 Wysokonapięciowy Mosfet Powierzchnia ilość jednostek zasilania

4A650V CS4N65A4 wysokonapięciowy MOSFET typu N dla źródeł zasilania TO-251

10A650V N-Channel HV MOSFET CS10N65A2 TO-220F dla ładowarki zasilania

5A650V CS5N65A5 Obwód przełącznika zasilania adaptera wysokonapięciowego MOSFET

4A650V CS4N65A5 Powierzchniowa ilość wysokonapięciowego mosfetu do zastosowań w inteligentnych domach

16A650V CS16N65A8 wysokonapięciowy MOSFET z niskim ładowaniem bramki do 220F

2A650V CS2N65A2 MOSFET wysokonapięciowy o niskim oporze, szybkim przełączaniu

16A600V CS16N60A8 Mosfet wysokiego napięcia dla przełącznika zasilania obwód adaptera i ładowarki

SBD z węglowodorów krzemowych

Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego

Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych

Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT

15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika

Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału

Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC