Polish

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Hindi

Turkish

Indonesian

Vietnamese

Thai

Bengali

Persian

Polish

Poprosić o wycenę |

MOSFET wysokiego napięcia

Najlepsze produkty

N Typ wysokonapięciowy MOSFET TO-247 do urządzeń audio

N Typ wysokonapięciowy MOSFET TO-247 do urządzeń audio

Wymagania w odniesieniu do MOSFET-u

Wymagania w odniesieniu do MOSFET-u

Stabilność termiczna wysokonapięciowy MOSFET do zarządzania baterią

Stabilność termiczna wysokonapięciowy MOSFET do zarządzania baterią

Chiny MOSFET wysokiego napięcia

CS8N65A2 8A650V Wysokonapięciowy MOSFET N Channel Szybkie aplikacje przełączania

Rodzaj:N

ID:8A

Napięcie bramka-źródło (Vgs):±30 V
20A600V CS20N60A8 wysokonapięciowy MOSFET typu N do zasilania jednostki

ID:20A

Vdss:600 V

Napięcie bramka-źródło (Vgs):±30 V
5A650V CS5N65A2 MOSFET o dużej prędkości przełączania do konwersji mocy

Rodzaj:N

ID:5A

Napięcie bramka-źródło (Vgs):±30 V
8A900V CS8N90A6 TO-247 MOSFET wysokiego napięcia niskiego oporu

ID:8A

Numer modelu:CS8N90A6

Vdss:900 V
20A650V CS20N65A6 N kanał wysokonapięciowy MOSFET 100% testowany w lawinie

ID:20A

Vdss:650 V

Typ RDSON （@VGS=10V）:0,38 Ω
28A500V CS28N50A6 MOSFET wysokiego napięcia awaryjnego do zasilania w trybie przełącznika

Rodzaj:N

Napięcie bramka-źródło (Vgs):±30 V

ID:28A

Page 5 of 5|< << 1 2 3 4 5 >> >|

kategorie wyszukiwania：

O

SBD z węglowodorów krzemowych: Diody bariery Schottky z węglem krzemowym do pieca elektrycznego; Wysokie napięcie rozbiórkowe węglowodan krzemowy SBD dla centrów danych; Przemysłowy karbid krzemowy SBD wielofunkcyjny do maszyny do spawania

Falownik IGBT: 15A 1200V Inwerter IGBT zwarcie wytrzymuje czas 10μS dla kierowcy silnika; Niezawodny i wytrzymały Inwerter IGBT Wzmocnienie trybu N kanału; Ładowarka IGBT Transistor wielofunkcyjny do zastosowań OBC

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Falownik IGBT dostawca. © 2024 - 2025 inverterigbt.com. All Rights Reserved.

vr